【希望之聲2022年6月30日訊】（希望之聲編譯組）三星電子當地時間週四宣布，該公司已經開始在位於韓國的華城工廠大規模生產3納米半導體晶元，是全球首家量產3納米晶元的公司。與前幾代使用FinFET的晶元不同，三星使用的GAA（Gate All Around）晶體管架構，該架構大大改善了功率效率。

三星公司在一份聲明中說，與傳統的5納米晶元相比，新開發的第一代3納米工藝可以降低45%的功耗，性能提高23%，並減少16%的面積。三星還稱，第二代3納米GAA製造工藝也正在研發中，這種第二代工藝將使晶元功耗降低達50%，性能提高30%，面積減少35%。

（轉載請註明希望之聲）