【希望之聲2022年6月17日訊】（希望之聲編譯組）台積電週四在2022技術研討會期間，披露了N2工藝的一些技術細節，預計可在2025年的某個時候投入2nm（納米）級全柵（讀音：shan）場效應晶體管的生產。屆時新節點將使得晶元設計人員能夠顯著降低其晶元功耗，但頻率和晶體管密度的改進似乎不太明顯。
作為一個全新的平臺，台積電N2節點將結合GAAFET納米片晶體管和背面供電工藝、並運用廣泛的極紫外光刻（EUV）技術。功能特性方面，官方宣稱台積電N2節點可讓晶元設計人員在相同功率/晶體管數量下，將性能提升10~15%。同時與N3E節點相比，N2節點可讓晶元密度增加1.1倍以上。遺憾的是，N2與N3E相比，晶元密度提升僅為10%。
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