【希望之聲2022年4月29日訊】(希望之聲編譯組)三星週四表示,它有望在本季度未來幾週開始使用其3GAE製造工藝大批量生產晶元。
這一宣布不僅標誌著業界首個3nm(納米)級的製造技術,而且也是第一個使用柵極全包圍場效應晶體管(GAAFET)的節點。
三星代工的3GAE工藝技術是該公司第一個使用GAA晶體管的工藝,三星官方稱之為多橋通道場效應晶體管(MBCFETs)。三星大約在三年前正式推出了其3GAE和3GAP節點。
三星表示,該工藝將使性能提高30%,功耗降低50%,晶體管密度提高80%。不過,對三星來說,性能和功耗的實際組合將如何發揮,還有待觀察。
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