【希望之聲2022年4月29日訊】（希望之聲編譯組）三星週四表示，它有望在本季度未來幾週開始使用其3GAE製造工藝大批量生產晶元。

這一宣布不僅標誌著業界首個3nm（納米）級的製造技術，而且也是第一個使用柵極全包圍場效應晶體管（GAAFET）的節點。

三星代工的3GAE工藝技術是該公司第一個使用GAA晶體管的工藝，三星官方稱之為多橋通道場效應晶體管（MBCFETs）。三星大約在三年前正式推出了其3GAE和3GAP節點。

三星表示，該工藝將使性能提高30%，功耗降低50%，晶體管密度提高80%。不過，對三星來說，性能和功耗的實際組合將如何發揮，還有待觀察。

（轉載請註明希望之聲）